DMN3016LFDE-13
DMN3016LFDE-13
Modelo do Produto:
DMN3016LFDE-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
41784 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMN3016LFDE-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:U-DFN2020-6 (Type E)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max):730mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:DMN3016LFDE-13DI
DMN3016LFDE-13DI-ND
DMN3016LFDE-13DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1415pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25.1nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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