DMJ70H1D3SJ3
DMJ70H1D3SJ3
Modelo do Produto:
DMJ70H1D3SJ3
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH TO251
Status sem chumbo:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
41759 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMJ70H1D3SJ3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):41W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:351pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):700V
Descrição detalhada:N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Email:[email protected]

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