DMHC6070LSD-13
DMHC6070LSD-13
Modelo do Produto:
DMHC6070LSD-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
55768 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMHC6070LSD-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 1A, 10V
Power - Max:1.6W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:DMHC6070LSD-13DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:731pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.1A, 2.4A
Email:[email protected]

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