DMG7N65SCT
Modelo do Produto:
DMG7N65SCT
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Status sem chumbo:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
45021 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMG7N65SCT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):125W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:886pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.7A (Tc)
Email:[email protected]

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