DDTD113EC-7-F
DDTD113EC-7-F
Modelo do Produto:
DDTD113EC-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46673 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DDTD113EC-7-F.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):1 kOhms
Resistor - Base (R1):1 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:DDTD113EC-7-FDICT
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:33 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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