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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > CWDM3011N TR13
CWDM3011N TR13
Modelo do Produto:
CWDM3011N TR13
Fabricante:
Central Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
30668 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CWDM3011N TR13.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:CWDM3011N TR-ND
CWDM3011N TR13 LEAD FREE
CWDM3011N TR13 PBFREE
CWDM3011NTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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