CVH252009-3R3M está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para CVH252009-3R3M, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para CVH252009-3R3M por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre CVH252009-3R3M com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
CVH252009-3R3M
- Modelo do Produto:
- CVH252009-3R3M
- Fabricante:
- Bourns, Inc.
- Descrição:
- FIXED IND 3.3UH 1.2A 100 MOHM
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 45124 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- CVH252009-3R3M.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Digitar: | Multilayer |
| Tolerância: | ±20% |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 1008 (2520 Metric) |
| Tamanho / Dimensão: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| blindagem: | Shielded |
| Série: | CVH252009 |
| classificações: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 1008 (2520 Metric) |
| Outros nomes: | CVH252009-3R3MTR CVH2520093R3M |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Core: | Ferrite |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência de Indutância - Teste: | 1MHz |
| Indutância: | 3.3µH |
| Altura - Sentado (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Frequência - auto-ressonante: | 30MHz |
| Descrição detalhada: | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| Resistência DC (DCR): | 100 mOhm Max |
| Potência nominal: | 1.2A |
| Atual - Saturação: | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para CVH252009-3R3M
Latest Notícias
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial