CTLDM8120-M832DS BK está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para CTLDM8120-M832DS BK, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para CTLDM8120-M832DS BK por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre CTLDM8120-M832DS BK com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
CTLDM8120-M832DS BK
- Modelo do Produto:
- CTLDM8120-M832DS BK
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET DUAL N-CHANNEL
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 36065 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- CTLDM8120-M832DS BK.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TLM832DS |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Power - Max: | 1.65W |
| Caixa / Gabinete: | 8-TDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | CTLDM8120-M832DS BK-ND CTLDM8120-M832DSBK |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 16V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.56nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Standard |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 860mA (Ta) 1.65W Surface Mount TLM832DS |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 860mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para CTLDM8120-M832DS BK
Latest Notícias
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash