CSD88539ND
Modelo do Produto:
CSD88539ND
Fabricante:
TI
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
47459 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CSD88539ND.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3.6V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:28 mOhm @ 5A, 10V
Power - Max:2.1W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:296-37304-1
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:741pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.4nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15A
Número da peça base:CSD88539
Email:[email protected]

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