CSD25202W15T
Modelo do Produto:
CSD25202W15T
Fabricante:
TI
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Status sem chumbo:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
24471 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CSD25202W15T.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.05V @ 250µA
Vgs (Max):-6V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:9-DSBGA
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:26 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:9-UFBGA, DSBGA
Outros nomes:296-37964-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1010pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 9-DSBGA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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