CSD19531Q5A
Modelo do Produto:
CSD19531Q5A
Fabricante:
TI
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Status sem chumbo:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
46032 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CSD19531Q5A.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Teste:3870pF @ 50V
Tensão - Breakdown:8-VSON (5x6)
VGS (th) (Max) @ Id:6.4 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (Max):6V, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:NexFET™
Status de RoHS:Digi-Reel®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100A (Tc)
Polarização:8-PowerTDFN
Outros nomes:296-41232-6
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD19531Q5A
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:48nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.3V @ 250µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 100V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100V
Rácio de capacitância:3.3W (Ta), 125W (Tc)
Email:[email protected]

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