CR8U-04FP está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para CR8U-04FP, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para CR8U-04FP por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre CR8U-04FP com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
CR8U-04FP
- Modelo do Produto:
- CR8U-04FP
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descrição:
- DIODE RECT TO-220FP-2
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 41361 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- CR8U-04FP.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.3V @ 8A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 400V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220FP-2 |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 30ns |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-2 Full Pack |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição detalhada: | Diode Standard 400V 8A Through Hole TO-220FP-2 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 400V |
| Atual - rectificada média (Io): | 8A |
| Capacitância @ Vr, F: | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para CR8U-04FP
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica