CL21B475KPFNNNF está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para CL21B475KPFNNNF, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para CL21B475KPFNNNF por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre CL21B475KPFNNNF com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
CL21B475KPFNNNF
- Modelo do Produto:
- CL21B475KPFNNNF
- Fabricante:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Descrição:
- CAP CER 4.7UF 10V X7R 0805
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 34898 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - M: | 10V |
| Tolerância: | ±10% |
| Espessura (Max): | 0.053" (1.35mm) |
| Coeficiente de temperatura: | X7R |
| Tamanho / Dimensão: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Série: | CL |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 0805 (2012 Metric) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount, MLCC |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estilo de chumbo: | - |
| Espaçamento de condutor: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | - |
| Características: | - |
| Descrição detalhada: | 4.7µF ±10% 10V Ceramic Capacitor X7R 0805 (2012 Metric) |
| capacidade: | 4.7µF |
| aplicações: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para CL21B475KPFNNNF
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash