CIGW404012GMR47MLE está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para CIGW404012GMR47MLE, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para CIGW404012GMR47MLE por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre CIGW404012GMR47MLE com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
CIGW404012GMR47MLE
- Modelo do Produto:
- CIGW404012GMR47MLE
- Fabricante:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Descrição:
- FIXED IND 470NH 6A 17MOHM SMD
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 29436 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- CIGW404012GMR47MLE.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Digitar: | Wirewound |
| Tolerância: | ±20% |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 1616 |
| Tamanho / Dimensão: | 0.161" L x 0.150" W (4.10mm x 3.80mm) |
| blindagem: | Unshielded |
| Série: | CIGW |
| classificações: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 1616 (4040 Metric) |
| Outros nomes: | 1276-6954-2 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Core: | Metal Composite |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência de Indutância - Teste: | 1MHz |
| Indutância: | 470nH |
| Altura - Sentado (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Frequência - auto-ressonante: | - |
| Características: | - |
| Descrição detalhada: | 470nH Unshielded Wirewound Inductor 6A 17 mOhm Max 1616 (4040 Metric) |
| Resistência DC (DCR): | 17 mOhm Max |
| Potência nominal: | 6A |
| Atual - Saturação: | 9.4A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para CIGW404012GMR47MLE
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga