CDR12BG0R7ABWS está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para CDR12BG0R7ABWS, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para CDR12BG0R7ABWS por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre CDR12BG0R7ABWS com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
CDR12BG0R7ABWS
- Modelo do Produto:
- CDR12BG0R7ABWS
- Fabricante:
- AVX Corporation
- Descrição:
- CAP CER 0.7PF 50V BG 0505
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 36912 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- CDR12BG0R7ABWS.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - M: | 50V |
| Tolerância: | ±0.1pF |
| Espessura (Max): | 0.057" (1.45mm) |
| Coeficiente de temperatura: | BG |
| Tamanho / Dimensão: | 0.055" L x 0.055" W (1.40mm x 1.40mm) |
| Série: | Military, MIL-PRF-55681, CDR12 |
| classificações: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 0505 (1313 Metric) |
| Outros nomes: | 1010-1007-2 1010-1007-2-MIL AQ125M0R7BSJME AQ125M0R7BSJME\500 CDR12BG0R7ABWS\M500 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount, MLCC |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estilo de chumbo: | - |
| Espaçamento de condutor: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altura - Sentado (Max): | - |
| Características: | - |
| Taxa de falha: | S (0.001%) |
| Descrição detalhada: | 0.7pF ±0.1pF 50V Ceramic Capacitor BG 0505 (1313 Metric) |
| capacidade: | 0.7pF |
| aplicações: | RF, Microwave, High Frequency |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para CDR12BG0R7ABWS
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga