CDBD2SC21200-G
CDBD2SC21200-G
Modelo do Produto:
CDBD2SC21200-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrição:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
40285 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CDBD2SC21200-G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.7V @ 2A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263 (D2Pak)
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):0ns
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:641-1927
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Silicon Carbide Schottky
Descrição detalhada:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 6.2A (DC) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Atual - dispersão reversa @ Vr:100µA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io):6.2A (DC)
Capacitância @ Vr, F:136pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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