BZX85B16-TR está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para BZX85B16-TR, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para BZX85B16-TR por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre BZX85B16-TR com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
BZX85B16-TR
- Modelo do Produto:
- BZX85B16-TR
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- DIODE ZENER 16V 1.3W DO41
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 41694 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BZX85B16-TR.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Zener (Nom) (VZ): | 16V |
| Tolerância: | ±2% |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-41 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Power - Max: | 1.3W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Outros nomes: | BZX85B16-TR-ND BZX85B16-TRGITR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 47 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedância (Max) (ZZT): | 15 Ohms |
| Descrição detalhada: | Zener Diode 16V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 500nA @ 12V |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para BZX85B16-TR
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash