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BS108G
- Modelo do Produto:
- BS108G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 47109 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BS108G.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Dissipação de energia (Max): | 350mW (Ta) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 25V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2V, 2.8V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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