BLT80,115 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para BLT80,115, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para BLT80,115 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre BLT80,115 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
BLT80,115
- Modelo do Produto:
- BLT80,115
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- TRANS NPN 10V 250MA SOT223
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 33139 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BLT80,115.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 10V |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-223 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-261-4, TO-261AA |
| Outros nomes: | 934004160115 BLT80 T/R BLT80 T/R-ND |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | - |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | - |
| Frequência - Transição: | 900MHz |
| Descrição detalhada: | RF Transistor NPN 10V 250mA 900MHz 2W Surface Mount SOT-223 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 25 @ 150mA, 5V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 250mA |
| Número da peça base: | BLT80 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para BLT80,115
Latest Notícias
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade