BLF6G10L-40BRN,112 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para BLF6G10L-40BRN,112, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para BLF6G10L-40BRN,112 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre BLF6G10L-40BRN,112 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
BLF6G10L-40BRN,112
- Modelo do Produto:
- BLF6G10L-40BRN,112
- Fabricante:
- Ampleon
- Descrição:
- RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 36310 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BLF6G10L-40BRN,112.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Teste: | 28V |
| Tensão - M: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | CDFM6 |
| Série: | - |
| Potência: | 2.5W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | SOT-1112A |
| Outros nomes: | 934064277112 |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | 23dB |
| Freqüência: | 788.5MHz ~ 823.5MHz |
| Descrição detalhada: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 390mA 788.5MHz ~ 823.5MHz 23dB 2.5W CDFM6 |
| Potência nominal: | 11A |
| Atual - Teste: | 390mA |
| Número da peça base: | BLF6G10 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para BLF6G10L-40BRN,112
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G10LS-160,118 | Ampleon | RF FET LDMOS SOT502B | inquérito |
 |
BLF6G10L-260PBM:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | inquérito |
 |
BLF6G10L-260PRN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | inquérito |
|
BLF6G10LS-160RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | inquérito |
 |
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | inquérito |
|
BLF6G10LS-160,112 | Ampleon | RF FET LDMOS SOT502B | inquérito |
 |
BLF6G10L-260PBM,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT1110A | inquérito |
|
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | inquérito |
|
BLF6G10-160RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | inquérito |
|
BLF6G05LS-200RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B | inquérito |
|
BLF6G10LS-135R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | inquérito |
 |
BLF6G10-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | inquérito |
|
BLF6G10LS-160RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | inquérito |
|
BLF6G10L-260PRN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | inquérito |
|
BLF6G10-200RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A | inquérito |
|
BLF6G10-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | inquérito |
|
BLF6G10LS-135R,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | inquérito |
|
BLF6G10LS-135RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | inquérito |
 |
BLF6G10LS-200,112 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | inquérito |
 |
BLF6G10L-40BRN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | inquérito |
Latest Notícias
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve