BFG520W/X,115 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para BFG520W/X,115, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para BFG520W/X,115 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre BFG520W/X,115 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
BFG520W/X,115
- Modelo do Produto:
- BFG520W/X,115
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT343N
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 35801 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BFG520W/X,115.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 15V |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-SO |
| Série: | - |
| Power - Max: | 500mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-343 Reverse Pinning |
| Outros nomes: | 568-1645-2 934030650115 BFG520W/X T/R |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | - |
| Frequência - Transição: | 9GHz |
| Descrição detalhada: | RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 500mW Surface Mount 4-SO |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 60 @ 20mA, 6V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 70mA |
| Número da peça base: | BFG520 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para BFG520W/X,115
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica