BD4157MUV-E2 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para BD4157MUV-E2, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para BD4157MUV-E2 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre BD4157MUV-E2 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
BD4157MUV-E2
- Modelo do Produto:
- BD4157MUV-E2
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- IC POWER SWITCH EXPRESS 20VQFN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 29010 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BD4157MUV-E2.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Abastecimento (Vcc / VDD): | - |
| Tensão - Carga: | 1.5V, 3.3V |
| Tipo de interruptor: | ExpressCard™ Switch |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VQFN020V4040 |
| Série: | - |
| Rds On (Tipo): | 50 mOhm, 140 mOhm |
| Rácio - Entrada: Saída: | 1:1 |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| Tipo de saída: | N-Channel |
| Configuração de saída: | High Side |
| Outros nomes: | BD4157MUV-E2TR |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 100°C (TA) |
| Número de saídas: | 3 |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interface: | On/Off |
| Tipo de entrada: | - |
| Características: | Load Discharge |
| Proteção contra Falhas: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, UVLO |
| Atual - Saída (Max): | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para BD4157MUV-E2
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC