BAT1706WE6327HTSA1 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para BAT1706WE6327HTSA1, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para BAT1706WE6327HTSA1 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre BAT1706WE6327HTSA1 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
BAT1706WE6327HTSA1
- Modelo do Produto:
- BAT1706WE6327HTSA1
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY RF CA SOT-323
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 32836 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BAT1706WE6327HTSA1.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | 4V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-SOT323-3 |
| Série: | - |
| Resistência @ Se, F: | 15 Ohm @ 5mA, 10kHz |
| Dissipação de energia (Max): | 150mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-70, SOT-323 |
| Outros nomes: | BAT 17-06W E6327 BAT 17-06W E6327-ND BAT1706WE6327 BAT1706WE6327HTSA1TR BAT1706WE6327XT SP000012244 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Schottky - 1 Pair Common Anode |
| Descrição detalhada: | RF Diode Schottky - 1 Pair Common Anode 4V 130mA 150mW PG-SOT323-3 |
| Atual - Max: | 130mA |
| Capacitância @ Vr, F: | 0.75pF @ 0V, 1MHz |
| Número da peça base: | BAT17-06 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para BAT1706WE6327HTSA1
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC