BAS3005A02VH6327XTSA1 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para BAS3005A02VH6327XTSA1, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para BAS3005A02VH6327XTSA1 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre BAS3005A02VH6327XTSA1 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
BAS3005A02VH6327XTSA1
- Modelo do Produto:
- BAS3005A02VH6327XTSA1
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 36788 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BAS3005A02VH6327XTSA1.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 500mV @ 500mA |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 30V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-SC79-2 |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | SC-79, SOD-523 |
| Outros nomes: | BAS 3005A-02V H6327CT BAS 3005A-02V H6327CT-ND BAS3005A02VH6327XTSA1CT |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Schottky |
| Descrição detalhada: | Diode Schottky 30V 500mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 300µA @ 30V |
| Atual - rectificada média (Io): | 500mA (DC) |
| Capacitância @ Vr, F: | 15pF @ 5V, 1MHz |
| Número da peça base: | BAS3005 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para BAS3005A02VH6327XTSA1
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC