BA116020R0KE está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para BA116020R0KE, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para BA116020R0KE por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre BA116020R0KE com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
BA116020R0KE
- Modelo do Produto:
- BA116020R0KE
- Fabricante:
- Ohmite
- Descrição:
- RES CHAS MNT 20 OHM 10% 500W
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 28666 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- BA116020R0KE.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±10% |
| Coeficiente de temperatura: | - |
| Tamanho / Dimensão: | 6.299" L x 3.740" W (160.00mm x 95.00mm) |
| Série: | BA |
| Modo de painel: | 20 Ohms |
| Potência (Watts): | 500W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Radial, Rectangular Case |
| Outros nomes: | OHBA116020R0KE OHBA116020R0KE-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 385°C |
| Recurso de montagem: | Flanges |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estilo de chumbo: | Wire Leads |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 1.181" (30.00mm) |
| Características: | - |
| Taxa de falha: | - |
| Descrição detalhada: | 20 Ohms ±10% 500W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Composição: | Wirewound |
| Revestimento, tipo de habitação: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para BA116020R0KE
Latest Notícias
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade