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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APTM100DA18T1G
APTM100DA18T1G
Modelo do Produto:
APTM100DA18T1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
42767 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APTM100DA18T1G.pdf2.APTM100DA18T1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:216 mOhm @ 33A, 10V
Dissipação de energia (Max):657W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:570nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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