APT13GP120KG está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para APT13GP120KG, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para APT13GP120KG por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre APT13GP120KG com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
APT13GP120KG
- Modelo do Produto:
- APT13GP120KG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- IGBT 1200V 41A 250W TO220
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 40012 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- APT13GP120KG.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 3.9V @ 15V, 13A |
| Condição de teste: | 600V, 13A, 5 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 9ns/28ns |
| Alternando Energia: | 114µJ (on), 165µJ (off) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220 [K] |
| Série: | POWER MOS 7® |
| Power - Max: | 250W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | PT |
| portão de carga: | 55nC |
| Descrição detalhada: | IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-220 [K] |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 50A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 41A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para APT13GP120KG
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
APT13005SU-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 3.2A TO126 | inquérito |
 |
APT13005T-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 4A TO220AB | inquérito |
 |
APT13005STF-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 3.2A TO220 | inquérito |
 |
APT13GP120BG | Microsemi | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | inquérito |
|
APT14M100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | inquérito |
|
APT14M120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 | inquérito |
 |
APT14M100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | inquérito |
 |
APT150GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | inquérito |
|
APT13F120B | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 | inquérito |
 |
APT14F100S | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK | inquérito |
 |
APT14050JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 | inquérito |
 |
APT130SM70J | Microsemi | MOSFET N-CH 700V SOT227 | inquérito |
|
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | inquérito |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | inquérito |
|
APT13GP120BDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | inquérito |
 |
APT130SM70B | Microsemi | MOSFET N-CH 700V TO247 | inquérito |
|
APT13F120S | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK | inquérito |
|
APT14F100B | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 | inquérito |
|
APT150GN60J | Microsemi | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | inquérito |
|
APT13005TF-G1 | Diodes Incorporated | TRANS NPN 450V 4A TO220-3 | inquérito |
Latest Notícias
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços