AOWF25S65
AOWF25S65
Modelo do Produto:
AOWF25S65
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
24812 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.AOWF25S65.pdf2.AOWF25S65.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):28W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Outros nomes:785-1530-5
AOWF25S65-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1278pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:26.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 25A (Tc) 28W (Tc) Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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