AOU7S65
AOU7S65
Modelo do Produto:
AOU7S65
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
35374 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.AOU7S65.pdf2.AOU7S65.pdf3.AOU7S65.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-251-3
Série:aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:650 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):89W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:785-1523-5
AOU7S65-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:434pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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