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A2V09H525-04NR6
- Modelo do Produto:
- A2V09H525-04NR6
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
- Quantidade em estoque:
- 43729 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- A2V09H525-04NR6.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Teste: | 48V |
| Tensão - M: | 105V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | OM-1230-4L |
| Série: | - |
| Potência: | 120W |
| Caixa / Gabinete: | OM-1230-4L |
| Outros nomes: | 935330045528 |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ganho: | 18.9dB |
| Freqüência: | 720MHz ~ 960MHz |
| Descrição detalhada: | RF Mosfet LDMOS 48V 688mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L |
| Potência nominal: | 10µA |
| Atual - Teste: | 688mA |
| Email: | [email protected] |
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