A1422LK está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para A1422LK, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para A1422LK por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre A1422LK com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
A1422LK
- Modelo do Produto:
- A1422LK
- Fabricante:
- Allegro MicroSystems, LLC.
- Descrição:
- MAGNETIC SWITCH SPEC PURP 4SIP
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 23517 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- A1422LK.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Fornecimento: | 4 V ~ 26.5 V |
| Condição de teste: | -40°C ~ 150°C |
| Tecnologia: | Hall Effect |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-SIP |
| Série: | Automotive, AEC-Q100 |
| Faixa de detecção: | 3.5mT Trip, -3.5mT Release |
| Polarização: | South Pole |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | 4-SSIP |
| Tipo de saída: | Open Drain |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TA) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Função: | Special Purpose |
| Características: | Temperature Compensated |
| Descrição detalhada: | Digital Switch Special Purpose Open Drain Hall Effect 4-SIP |
| Atual - Abastecimento (Max): | 7mA |
| Atual - Saída (Max): | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para A1422LK
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica