74LVC1G57GV-Q100H está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para 74LVC1G57GV-Q100H, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para 74LVC1G57GV-Q100H por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre 74LVC1G57GV-Q100H com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
74LVC1G57GV-Q100H
- Modelo do Produto:
- 74LVC1G57GV-Q100H
- Fabricante:
- Nexperia
- Descrição:
- IC CONFIG MULTI-FUNC GATE
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 41765 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 74LVC1G57GV-Q100H.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Fornecimento: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-TSOP |
| Série: | Automotive, AEC-Q100, 74LVC |
| Input Schmitt Gatilho: | No |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-74, SOT-457 |
| Tipo de saída: | Single-Ended |
| Outros nomes: | 935302838125 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C |
| Número de Entradas: | 3 |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de lógica: | Configurable Multiple Function |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Configurable Multiple Function Configurable 1 Circuit 3 Input 6-TSOP |
| Atual - Saída Alto, Baixo: | 32mA, 32mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para 74LVC1G57GV-Q100H
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica