53D461F200JP6 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para 53D461F200JP6, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para 53D461F200JP6 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre 53D461F200JP6 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
53D461F200JP6
- Modelo do Produto:
- 53D461F200JP6
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- CAP ALUM 460UF 200V AXIAL
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 36194 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 53D461F200JP6.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - M: | 200V |
| Tolerância: | -10%, +50% |
| Superfície Tamanho Mount Terra: | - |
| Tamanho / Dimensão: | 1.012" Dia x 2.642" L (25.70mm x 67.10mm) |
| Série: | 53D |
| Corrente de Ondulação @ Baixa Frequência: | 1.25A @ 120Hz |
| Corrente de Ondulação @ Alta Freqüência: | 1.5A @ 1kHz |
| classificações: | - |
| Polarização: | Polar |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Axial, Can |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 13 Weeks |
| Lifetime @ Temp.: | 1000 Hrs @ 85°C |
| Espaçamento de condutor: | - |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altura - Sentado (Max): | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 379 mOhm @ 120Hz |
| Descrição detalhada: | 460µF 200V Aluminum Electrolytic Capacitors Axial, Can 379 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C |
| capacidade: | 460µF |
| aplicações: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para 53D461F200JP6
Latest Notícias
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga