4304M-101-682 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para 4304M-101-682, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para 4304M-101-682 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre 4304M-101-682 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
4304M-101-682
- Modelo do Produto:
- 4304M-101-682
- Fabricante:
- Bourns, Inc.
- Descrição:
- RES ARRAY 3 RES 6.8K OHM 4SIP
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 29551 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 4304M-101-682.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±2% |
| Coeficiente de temperatura: | ±100ppm/°C |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-SIP |
| Tamanho / Dimensão: | 0.384" L x 0.085" W (9.75mm x 2.16mm) |
| Série: | 4300M |
| Resistência-Ratio-Drift: | 50 ppm/°C |
| Relação de Correspondência do Resistor: | - |
| Resistência (Ohms): | 6.8k |
| Poder por elemento: | 250mW |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 4-SIP |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Número de resistores: | 3 |
| Número de pinos: | 4 |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.250" (6.35mm) |
| Descrição detalhada: | 6.8k Ohm ±2% 250mW Power Per Element Bussed 3 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 4-SIP |
| Tipo de circuito: | Bussed |
| aplicações: | - |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para 4304M-101-682
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
4304M-101-303 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 30K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-104 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 100K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-221LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 220 OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-223 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 22K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-121 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 120 OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-104LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 100K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-221 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 220 OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-472 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 4.7K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-472LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 4.7K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-101 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 100 OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-912 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 9.1K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-102LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 1K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-102 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 1K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-103 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 10K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-224 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 220K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-202LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 2K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-101LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 100 OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-222LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 2.2K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-102-103LF | Bourns, Inc. | RES ARRAY 2 RES 10K OHM 4SIP | inquérito |
|
4304M-101-222 | Bourns, Inc. | RES ARRAY 3 RES 2.2K OHM 4SIP | inquérito |
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica