3SK293(TE85L,F) está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para 3SK293(TE85L,F), temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para 3SK293(TE85L,F) por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre 3SK293(TE85L,F) com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
3SK293(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- 3SK293(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- FET RF 12.5V 800MHZ USQ
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 46436 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 3SK293(TE85L,F).pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Teste: | 6V |
| Tensão - M: | 12.5V |
| Tipo transistor: | N-Channel Dual Gate |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | USQ |
| Série: | - |
| Potência: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-82A, SOT-343 |
| Outros nomes: | 3SK293 (TE85L,F 3SK293 (TE85LF) 3SK293(TE85LF)TR 3SK293TE85LF |
| Fator de ruído: | 2.5dB |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganho: | 22dB |
| Freqüência: | 800MHz |
| Descrição detalhada: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 800MHz 22dB USQ |
| Potência nominal: | 30mA |
| Atual - Teste: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para 3SK293(TE85L,F)
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica