2SC6017-E
2SC6017-E
Modelo do Produto:
2SC6017-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 50V 10A TP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
32064 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
2SC6017-E.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:360mV @ 250mA, 5A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:TP
Série:-
Power - Max:950mW
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:2SC6017-E-ND
2SC6017-EOS
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 10A 200MHz 950mW Through Hole TP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 1A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):10A
Email:[email protected]

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