2SA1709T-AN está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para 2SA1709T-AN, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para 2SA1709T-AN por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre 2SA1709T-AN com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
2SA1709T-AN
- Modelo do Produto:
- 2SA1709T-AN
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PNP 100V 2A NMP
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 48649 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 2SA1709T-AN.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 100mA, 1A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 3-NMP |
| Série: | - |
| Power - Max: | 1W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-71 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 120MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 120MHz 1W Through Hole 3-NMP |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 100mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para 2SA1709T-AN
Latest Notícias
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade