2N7000
Modelo do Produto:
2N7000
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
32017 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
2N7000.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Outros nomes:497-3110
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:43pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 350mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:350mA (Tc)
Email:[email protected]

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