1SMA4764-GT3TR está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para 1SMA4764-GT3TR, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para 1SMA4764-GT3TR por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre 1SMA4764-GT3TR com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
1SMA4764-GT3TR
- Modelo do Produto:
- 1SMA4764-GT3TR
- Descrição:
- DIODE ZENER 100V 1W SMA
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 22723 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1SMA4764-GT3TR.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Isolamento: | 350 Ohm |
| Tensão - Breakdown: | SMA (DO-214AC) |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Power - Max: | 1W |
| Polarização: | DO-214AC, SMA |
| Outros nomes: | 1SMA4764-GT3TRSMC |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 1SMA4764-GT3TR |
| Impedância (Max) (ZZT): | 100V |
| Descrição expandida: | Zener Diode 1W ±5% Surface Mount SMA (DO-214AC) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| configuração de diodo: | 5µA @ 76V |
| Descrição: | DIODE ZENER 100V 1W SMA |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1.2V @ 200mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para 1SMA4764-GT3TR
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash