1N5554US
1N5554US
Modelo do Produto:
1N5554US
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Status sem chumbo:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
23931 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1N5554US.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.2V @ 9A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1000V
Embalagem do dispositivo fornecedor:B, SQ-MELF
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):2µs
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, B
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 1000V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Atual - dispersão reversa @ Vr:1µA @ 1000V
Atual - rectificada média (Io):3A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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