ZXTC6718MCQTA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ZXTC6718MCQTA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ZXTC6718MCQTA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ZXTC6718MCQTA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ZXTC6718MCQTA
- Part Number:
- ZXTC6718MCQTA
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020
- Wielkość zbiorów:
- 20018 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ZXTC6718MCQTA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 20V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 125mA, 4.5A |
| Typ tranzystora: | NPN, PNP |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | W-DFN3020-8 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Moc - Max: | 1.5W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-WDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Częstotliwość - Transition: | 100MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 100MHz 1.5W Surface Mount W-DFN3020-8 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 300 @ 200mA, 2V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 100nA (ICBO) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ZXTC6718MCQTA
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC