ZXRE1004DRSTOB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ZXRE1004DRSTOB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ZXRE1004DRSTOB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ZXRE1004DRSTOB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ZXRE1004DRSTOB
- Part Number:
- ZXRE1004DRSTOB
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- IC VREF SHUNT 1.22V TO92-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36992 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ZXRE1004DRSTOB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 1.22V |
| Napięcie - Wejście: | - |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | 75ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | E-Line (TO-92 compatible) |
| Seria: | - |
| Typ referencyjny: | Shunt |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | E-Line-3 |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Hałas - od 10 Hz do 10 kHz: | 60µVrms |
| Hałas - od 0,1 Hz do 10 Hz: | - |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Shunt Voltage Reference IC ±1% 20mA E-Line (TO-92 compatible) |
| Obecny - Dostawa: | - |
| Obecny - Wyjście: | 20mA |
| Obecny - katoda: | 8µA |
| Podstawowy numer części: | ZXRE1004 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ZXRE1004DRSTOB
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash