ZXMS6004DN8-13 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ZXMS6004DN8-13, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ZXMS6004DN8-13 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ZXMS6004DN8-13 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ZXMS6004DN8-13
- Part Number:
- ZXMS6004DN8-13
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- MOSFET N-CH 60V 1.3A SO8
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30624 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ZXMS6004DN8-13.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 3.3V, 5V |
| Napięcie - Obciążenie: | 60V (Max) |
| Typ przełącznika: | General Purpose |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | INTELLIFET® |
| Rds On (Typ): | 350 mOhm |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:1 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | N-Channel |
| Konfiguracja wyjściowa: | Low Side |
| Inne nazwy: | ZXMS6004DN8-13DITR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba wyjść: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 38 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | On/Off |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| cechy: | Auto Restart |
| Ochrona usterek: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| Obecny - Wyjście (Max): | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ZXMS6004DN8-13
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny