ZL9010MAIRZ-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ZL9010MAIRZ-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ZL9010MAIRZ-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ZL9010MAIRZ-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ZL9010MAIRZ-T
- Part Number:
- ZL9010MAIRZ-T
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- DC DC CONVERTER 0.6-3.3V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36642 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ZL9010MAIRZ-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście 3: | - |
| Napięcie - Wyjście 2: | - |
| Napięcie - Wyjście 1: | 0.6 ~ 3.3 V |
| Napięcie - Wejście (Min): | 4.5V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 13.2V |
| Rodzaj: | Non-Isolated PoL Module, Digital |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.68" L x 0.45" W x 0.10" H (17.2mm x 11.5mm x 2.5mm) |
| Seria: | ZL9010M |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 32-SMD Module |
| Inne nazwy: | ZL9010MAIRZ-TTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | OCP, OTP, OVP, UVLO |
| Wydajność: | - |
| szczegółowy opis: | Non-Isolated PoL Module, Digital DC DC Converter 1 Output 0.6 ~ 3.3 V 10A 4.5V - 13.2V Input |
| Obecny - Wyjście (Max): | 10A |
| Aplikacje: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ZL9010MAIRZ-T
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny