YFF18PC0J105MT0H0N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla YFF18PC0J105MT0H0N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla YFF18PC0J105MT0H0N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup YFF18PC0J105MT0H0N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
YFF18PC0J105MT0H0N
- Part Number:
- YFF18PC0J105MT0H0N
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- CAP FEEDTHRU 1UF 20% 6.3V 0603
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54839 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- YFF18PC0J105MT0H0N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 6.3V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Seria: | YFF-P |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric), 4 PC Pad |
| Inne nazwy: | 445-16130-2 YFF18PC0J105M |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 50 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Insertion Loss: | 40dB @ 800kHz ~ 1GHz |
| Wysokość (max): | 0.035" (0.90mm) |
| szczegółowy opis: | 1µF Feed Through Capacitor 6.3V 4A 12 mOhm 0603 (1608 Metric), 4 PC Pad |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 12 mOhm |
| Aktualny, bieżący: | 4A |
| Pojemność: | 1µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do YFF18PC0J105MT0H0N
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny