YEV09T06-0G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla YEV09T06-0G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla YEV09T06-0G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup YEV09T06-0G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
YEV09T06-0G
- Part Number:
- YEV09T06-0G
- Producent:
- Bel
- Opis:
- DC DC CONVERTER 0.59-5.1V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28382 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- YEV09T06-0G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście 3: | - |
| Napięcie - Wyjście 2: | - |
| Napięcie - Wyjście 1: | 0.59 ~ 5.1 V |
| Napięcie - Wejście (Min): | 4.5V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 13.8V |
| Rodzaj: | Non-Isolated PoL Module |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.41" L x 0.40" W x 0.65" H (10.4mm x 10.2mm x 16.5mm) |
| Seria: | YEV09 |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 5-SIP Module |
| Inne nazwy: | 179-2374 YEV09T060G |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO |
| Wydajność: | 92.5% |
| szczegółowy opis: | Non-Isolated PoL Module DC DC Converter 1 Output 0.59 ~ 5.1 V 6A 4.5V - 13.8V Input |
| Obecny - Wyjście (Max): | 6A |
| Funkcje sterowania: | Enable, Active High |
| Aplikacje: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do YEV09T06-0G
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny