Y4485V0073QT9W jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y4485V0073QT9W, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y4485V0073QT9W przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y4485V0073QT9W z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y4485V0073QT9W
- Part Number:
- Y4485V0073QT9W
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- RES NETWORK 2 RES MULT OHM 1610
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32679 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y4485V0073QT9W.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.02% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±0.2ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.160" L x 0.106" W (4.06mm x 2.69mm) |
| Seria: | DSMZ |
| Resistor-Ratio-Drift: | ±0.1 ppm/°C |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | ±0.01% |
| Oporność (Ohm): | 100, 1k |
| Moc na element: | 50mW |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 1610 J-Lead (3 Terminals) |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 2 |
| Ilość Pins: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 28 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| szczegółowy opis: | 100, 1k Ohm ±0.02% 50mW Power Per Element Voltage Divider 2 Resistor Network/Array ±0.2ppm/°C 1610 J-Lead (3 Terminals) |
| Rodzaj obwodu: | Voltage Divider |
| Aplikacje: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y4485V0073QT9W
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe