Y40621K67000F0R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y40621K67000F0R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y40621K67000F0R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y40621K67000F0R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y40621K67000F0R
- Part Number:
- Y40621K67000F0R
- Producent:
- Opis:
- RES SMD 1.67K OHM 1% 0.3W 0805
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 42218 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y40621K67000F0R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.3W |
| Napięcie - Podział: | 0805 |
| Grubość (maks): | ±2.5ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.080" L x 0.050" W (2.03mm x 1.27mm) |
| Seria: | FRSH |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 0805 (2012 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 225°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | Y40621K67000F0R |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.025" (0.64mm) |
| cechy: | Moisture Resistant, Non-Inductive |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 1.67k Ohm ±1% 0.3W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Moisture Resistant, Non-Inductive Metal Foil |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Opis: | RES SMD 1.67K OHM 1% 0.3W 0805 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Metal Foil |
| Pasmo: | 1.67k |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y40621K67000F0R
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash