Y40271K00000T9W jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y40271K00000T9W, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y40271K00000T9W przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y40271K00000T9W z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y40271K00000T9W
- Part Number:
- Y40271K00000T9W
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- FRSM2512 1K0000 TCR0.2 0.01% S W
- Wielkość zbiorów:
- 47391 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y40271K00000T9W.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.01% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±0.2ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 2512 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.249" L x 0.127" W (6.32mm x 3.23mm) |
| Seria: | FRSM |
| Tryb panel: | 1 kOhms |
| Moc (W): | 0.75W, 3/4W |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 2512 (6432 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.025" (0.64mm) |
| cechy: | Non-Inductive |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 1 kOhms ±0.01% 0.75W, 3/4W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Non-Inductive Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y40271K00000T9W
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny