Y4021108R600B9R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla Y4021108R600B9R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla Y4021108R600B9R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup Y4021108R600B9R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Y4021108R600B9R
- Part Number:
- Y4021108R600B9R
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- FRSM0603 108R60 TCR0.2 0.1% S T
- Wielkość zbiorów:
- 21128 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- Y4021108R600B9R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±0.2ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0603 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) |
| Seria: | FRSM |
| Tryb panel: | 108.6 Ohms |
| Moc (W): | 0.1W, 1/10W |
| Opakowania: | Strip |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.025" (0.64mm) |
| cechy: | Non-Inductive |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 108.6 Ohms ±0.1% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0603 (1608 Metric) Non-Inductive Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do Y4021108R600B9R
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC